承建時間：2020/1/17—2021/5/31
建筑面積：FAB主廠房27.8萬m2，項目總用地114.5萬m2
潔凈面積：7.3萬平米
潔凈級別：千級
承包范圍：1 號建筑（12 英寸存儲器生產廠房 1 FAB1）Stage1-3 范圍：含 BUS WAY、I-LINE 盤、ACB 盤、橋架、電纜、照明插座等；5 號建筑（綜合動力站）、6 號建筑（廢水處理站 1）、8 號建筑、18 號建筑 Stage1-3 范圍；
項目概述：國家存儲器基地項目位于武漢市光谷未來科技城內，項目主要生產12英寸閃存芯片。本工程以設備采購安裝為主，尤其以母線、插接箱、電纜、工藝盤柜（I-Line盤）、橋架的體量最大。
行業(yè)價值：長江存儲科技有限責任公司于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設計、生產和銷售的IDM存儲器公司。長江存儲為全球工商業(yè)客戶提供存儲器產品，廣泛應用于移動設備、計算機、數(shù)據(jù)中心和消費電子產品等領域。2017年，長江存儲在全資子公司武漢新芯12英寸集成電路制造工廠的基礎上，通過自主研發(fā)和國際合作相結合的方式，成功設計并制造了中國首批3D NAND閃存芯片。長江存儲在武漢、上海、北京等地設有研發(fā)中心，通過不懈努力和技術創(chuàng)新，致力于成為全球領先的NAND閃存解決方案提供商。
鳥瞰圖
實景圖
