承建時間：2013/06/01-2013/12/31
建筑面積：36.4（萬平方米）
潔凈面積：15.5（萬平方米）
潔凈級別：千級
承包范圍：FAB棟風(fēng)管安裝（EAST,NORTH）鍍鋁鋅風(fēng)管、特氟龍風(fēng)管、FM-PVC風(fēng)管安裝、調(diào)試。
項目亮點：12英寸閃存芯片項目，F(xiàn)AB是西安三星項目部接觸的主體建筑，F(xiàn)AB棟南北跨度406m，東西跨度192m，共四層，三層為wafer的工藝生產(chǎn)區(qū)域，是當(dāng)時單體建筑最大的廠房。西安三星半導(dǎo)體工程屬國家級項目，公司參與建設(shè)FAB棟通風(fēng)工程為主廠房重要系統(tǒng)，通過公司的努力，獲得“國家優(yōu)質(zhì)工程獎”。
項目高清效果圖（鳥瞰圖）
項目高清效果圖（鳥瞰圖）
項目所獲獎項
2016-2017年度國家優(yōu)質(zhì)工程獎